Semiconductor device, and manufacturing method thereof

半導体装置およびその作製方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that conventional DRAMs need refreshing every tens of milliseconds for holding data, which leads to the increase in their power consumption, and the problem of the deterioration of a transistor frequently switched between ON and OFF states which comes to the fore with the increase in the memory capacity, and the progress of the microfabrication of transistors.SOLUTION: The semiconductor device comprises a transistor having a trench structure involving a trench for a gate electrode and a trench for device isolation, and having an oxide semiconductor. With the semiconductor device, the development of a short channel effect can be suppressed by appropriately setting the depth of a trench for a gate electrode even when the distance between source and drain electrodes is made smaller.
【課題】従来のDRAMは、データを保持するために数十ミリ秒間隔でリフレッシュをしなければならず、消費電力の増大を招いていた。また、頻繁にトランジスタのオン状態とオフ状態が切り換わるのでトランジスタの劣化が問題となっていた。この問題は、メモリ容量が増大し、トランジスタの微細化が進むにつれて顕著なものとなっていた。 【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを用い、ゲート電極用のトレンチと、素子分離用のトレンチを有するトレンチ構造のトランジスタとする。ソース電極とドレイン電極との距離を狭くしてもゲート電極用のトレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果の発現を抑制することができる。 【選択図】図1

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