ナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法

Nand flash memory device and method of manufacturing the same

Abstract

【課題】セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された選択トランジスタ及びメモリセル用第1導電膜パターンと、前記第1導電膜パターン上に形成された誘電体膜と、前記メモリセル用第1導電膜パターン上の前記誘電体膜上に形成された第2導電膜パターンと、前記選択トランジスタ用第1導電膜パターンと繋がれて前記第2導電膜パターンより抵抗の低い物質で形成されたセレクトラインと、を含む。 【選択図】図4
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a NAND flash memory device capable of improving the resistance of select lines and capable of simplifying a manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: A NAND flash memory device comprises: gate insulating films formed on a semiconductor substrate; first conductive film patterns for selection transistors and memory cells that are formed on the gate insulating films; dielectric films formed on the first conductive film patterns; second conductive film patterns formed on the dielectric films above the first conductive film patterns for memory cells; and select lines that are connected to the first conductive film patterns for the selection transistors and are formed from a material having a lower resistance than the second conductive film patterns.

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