Field-effect transistor

電界効果トランジスタ

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field-effect transistor having a small current collapse and an excellent high-frequency property.SOLUTION: The field-effect transistor includes: a nitride semiconductor laminate 102 formed on a substrate 101; a source electrode 105; a drain electrode 106; a gate electrode 107; an insulator film 110 formed on the nitride semiconductor laminate 102; and a field plate 115 formed over the insulator film 110 in contact therewith and having an end located between the drain and gate electrodes 106 and 107. The insulator film 110 includes a first film 111 and a second film 112 having a dielectric withstanding voltage lower than that of the first film 111, and has a thin film portion 110a formed between the drain and gate electrodes 106 and 107. The field plate 115 covers the thin film portion 110a and is connected with the source electrode at an opening.
【課題】電流コラプスが小さく且つ良好な高周波特性を有する電界効果トランジスタを実現できるようにする。 【解決手段】電界効果トランジスタは、基板101の上に形成された窒化物半導体積層体102と、ソース電極105、ドレイン電極106及びゲート電極107と、窒化物半導体積層体102の上に形成された絶縁膜110と、絶縁膜110の上に接して形成され、端部がゲート電極107とドレイン電極106との間に位置するフィールドプレート115とを備えている。絶縁膜110は、第1の膜111と、第1の膜111よりも絶縁耐圧が低い第2の膜112とを含み、ゲート電極117とドレイン電極116との間に形成された薄膜部110aを有している。フィールドプレート115は、薄膜部110aを覆い且つ開口部においてソース電極と接続されている。 【選択図】図1

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Patent Citations (7)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2005093864-AApril 07, 2005Toshiba Corp, 株式会社東芝電力用半導体装置
    JP-2006032552-AFebruary 02, 2006Toshiba Corp, 株式会社東芝Semiconductor device containing nitride
    JP-2006222393-AAugust 24, 2006Fujitsu Ltd, 富士通株式会社Field-effect transistor and manufacturing method thereof
    JP-2006245474-ASeptember 14, 2006Fujitsu Ltd, 富士通株式会社電界効果型トランジスタとその製造方法
    JP-2007048866-AFebruary 22, 2007Toshiba Corp, 株式会社東芝窒化物半導体素子
    JP-2011181702-ASeptember 15, 2011Panasonic Corp, パナソニック株式会社Field-effect transistor and method of manufacturing the same
    WO-2006132419-A1December 14, 2006Nec CorporationField effect transistor

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    Title

Cited By (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2015046445-AMarch 12, 2015富士通株式会社, Fujitsu LtdCompound semiconductor device and method of manufacturing the same
    JP-2015122361-AJuly 02, 2015株式会社東芝, Toshiba CorpField effect transistor
    US-9548383-B2January 17, 2017Fujitsu LimitedHEMT with a metal film between the gate electrode and the drain electrode
    WO-2016092892-A1June 16, 2016シャープ株式会社Compound semiconductor device